ケンタのブレーン

磁阻效應(Magnetoresistance Effect)或是霍爾效應(Hall Effect)應用的感測器。

霍爾感測器以霍爾效應為其工作基礎，霍爾效應是半導體自由電荷受磁場勞倫斯力(Lorentz force)作用(Y軸向)而產生，霍爾電場產生的力直至與勞倫斯力相等。

此時半導體片所輸出的穩定電壓為霍爾電壓Vh(X軸向)，它是由美國物理學家霍爾(Edwin H. Hall)在1879年發現的。


圖 霍爾片

在外加磁場B的作用下 (Z軸向)



當磁感應強度超過導通閥值Bop時，霍爾電路輸出導通，當B持續增加，能保持導通狀態。

當外加磁場B降低至Brp時，霍爾電路輸出斷路。

所以稱Bop為工作點，Brp為釋放點，Bop-Brp為回差，而回差的存在使得抗干擾能力增加。

一般規定，當外加磁場S極接近霍爾電路(有標示的那面)，作用在霍爾電路上的磁場方向為正，反之N極接近為負。

Vh=K*Ic*B*cosθ

K=Rh/d； Rh為霍爾係數，p型半導體Rh為正，n型半導體Rh為負
Ic 輸入電流
B 磁場強度
cosθ 外加磁場B與霍爾片角度

延伸閱讀
維基百科 霍爾效應 
維基百科 磁阻效應